文/陳根

日前IEEE電子電器工程師協(xié)會宣布，F(xiàn)inFET晶體管發(fā)明人胡正明（Chenming Hu）獲得了2020年的IEEE 榮譽獎章，這是IEEE協(xié)會的最高獎勵。

胡正明是誰？

胡正明，1947年7月出生于中國北京，微電子學家，美國工程科學院院士、中國科學院外籍院士，美國加州大學伯克利分校杰出講座教授。1997年當選為美國工程科學院院士，2007年當選中國科學院外籍院士，2015年12月獲得美國國家技術和創(chuàng)新獎。2016年5月19日，美國總統(tǒng)奧巴馬在白宮為胡正明頒發(fā)美國國家科學獎章。胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導體器件的開發(fā)及未來的微型化做出了重大貢獻。

他最偉大的貢獻之一就是發(fā)明了鰭式場效晶體管 (FinFET) ，這一技術使得摩爾定律延壽了數(shù)十年。自從1965年，Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出“摩爾定律”以來，半導體工藝一直按照這個規(guī)律發(fā)展——2年提升一倍的晶體管密度。按照之前的摩爾定律，今天的半導體原本應該終結了。因為按照之前的發(fā)展，傳統(tǒng)硅基半導體工藝制造難度越來越大，特別是在28nm工藝之后。

胡正明教授在半導體開發(fā)與微型化這個問題上貢獻非常大，他于1999年發(fā)明了FinFET晶體管，也叫鰭式晶體管或者3D晶體管，就是因為晶體管的形狀與魚鰭相似。 

胡正明教授所領導的研究小組開發(fā)出了世界上體積最小，但是通過電流卻最大的半導體晶體管。這種新型的晶體管可以使1個電腦芯片的容量比從前提高400倍。而Intel在2012年正式量產(chǎn)了3D晶體管技術，首發(fā)的是22nm工藝。當時臺積電、三星還停留在28nm工藝上，之后在16/14nm節(jié)點上他們才進入了FinFET晶體管時代。

從這一點上來說，胡正明教授發(fā)明的FinFET技術不僅拯救了摩爾定律，同時也改變了整個半導體行業(yè)的發(fā)展方向，使得Intel、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導體行業(yè)的公司都受益于胡正明教授的發(fā)明。