在終止Optane內(nèi)存產(chǎn)品四年后，英特爾重新進(jìn)入內(nèi)存業(yè)務(wù)領(lǐng)域，與軟銀子公司合作推出新的"ZAM"內(nèi)存技術(shù)。

什么是ZAM內(nèi)存技術(shù)

ZAM即Z角度內(nèi)存（Z-Angle Memory），由英特爾和軟銀旗下Saimemory子公司聯(lián)合開發(fā)。據(jù)報道，ZAM內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)始于美國能源部發(fā)起的先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)（AMT）計劃，目標(biāo)是英特爾所稱的下一代DRAM封裝項目。

Saimemory成立于2024年12月，專門開發(fā)面向AI的下一代半導(dǎo)體內(nèi)存技術(shù)，作為高帶寬內(nèi)存（HBM）的替代方案。該公司CEO是東芝半導(dǎo)體40年資深專家山口英也，CTO史蒂芬·莫雷恩曾是英特爾高級首席工程師和系統(tǒng)硅架構(gòu)師。

開發(fā)時間表與商業(yè)化計劃

不過，產(chǎn)品問世還需要相當(dāng)長的時間。英特爾全球戰(zhàn)略合作總監(jiān)薩納姆·馬斯魯爾在博客文章中概述了相關(guān)計劃：運營預(yù)計將在2026年第一季度開始，原型產(chǎn)品將在2027年推出，商業(yè)化產(chǎn)品要到2030年才能面世。

技術(shù)特點與市場定位

雖然英特爾沒有明確表示，但這種內(nèi)存設(shè)計與GPU加速器和AI數(shù)據(jù)中心使用的HBM幾乎完全相同。HBM直接位于GPU芯片上，可供GPU立即訪問，這與插在主板上的標(biāo)準(zhǔn)DRAM內(nèi)存條不同。

HBM比DDR內(nèi)存快得多，但生產(chǎn)成本也高得多。由于利潤率遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)DRAM，美光、三星和SK海力士這三大內(nèi)存制造商都傾向于生產(chǎn)HBM產(chǎn)品。

行業(yè)專家觀點

專注內(nèi)存市場的客觀分析公司總裁吉姆·漢迪對這一宣布提出了許多質(zhì)疑，首先是英特爾距離產(chǎn)品出貨還很遙遠(yuǎn)。

他表示："我不會說這是空中樓閣，但對于一個要到2030年才能量產(chǎn)的產(chǎn)品來說，這個宣布確實太早了。我能理解其模糊性，但公告中沒有任何內(nèi)容能讓人相信這將是一個巨大的成功。"

Q&A

Q1：ZAM內(nèi)存技術(shù)是什么？有什么特點？

A：ZAM即Z角度內(nèi)存，是英特爾和軟銀子公司Saimemory聯(lián)合開發(fā)的新型內(nèi)存技術(shù)。它作為高帶寬內(nèi)存HBM的替代方案，專門面向AI應(yīng)用，設(shè)計與GPU加速器中使用的HBM幾乎相同，比DDR內(nèi)存速度更快但成本更高。

Q2：ZAM內(nèi)存什么時候能夠商用？

A：根據(jù)英特爾的計劃時間表，ZAM內(nèi)存的商業(yè)化還需要較長時間。運營將在2026年第一季度開始，2027年推出原型產(chǎn)品，真正的商業(yè)化產(chǎn)品要等到2030年才能面世。

Q3：為什么英特爾要重新進(jìn)入內(nèi)存市場？

A：英特爾在終止Optane內(nèi)存產(chǎn)品四年后重新進(jìn)入內(nèi)存業(yè)務(wù)，主要是看中AI和數(shù)據(jù)中心市場對高性能內(nèi)存的需求。HBM等高端內(nèi)存產(chǎn)品利潤率遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)DRAM，這也是三大內(nèi)存制造商都在重點發(fā)展的方向。