2月9日，第三方市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint發(fā)布的《2月內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》顯示，與2025年第四季度相比，截至2026年第一季度目前，內(nèi)存價(jià)格已暴漲80%-90%，其中DRAM、NAND及HBM均創(chuàng)下歷史新高。

Counterpoint指出，本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器DRAM價(jià)格大幅攀升。此外，第四季度表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)的NAND閃存，在第一季度也同步上漲 80%–90%。疊加部分HBM3e產(chǎn)品價(jià)格走高，市場(chǎng)正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢(shì)。

由于DRAM價(jià)格高漲，Counterpoint在報(bào)告中稱，2025年第四季度，傳統(tǒng)DRAM利潤(rùn)率已超過(guò)HBM；預(yù)計(jì)2026年第一季度，廠商營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將觸及歷史峰值，同時(shí)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的盈利水平。

以服務(wù)器級(jí)內(nèi)存為例，64GB RDIMM合約價(jià)已從去年第四季度的450美元，飆升至今年第一季度的900美元以上，且二季度有望突破 1000美元關(guān)口。

此外，高盛近日大幅上調(diào)了DRAM供應(yīng)短缺預(yù)期，最新預(yù)測(cè)顯示，2026年和2027年DRAM供不應(yīng)求幅度將達(dá)到4.9%和2.5%，遠(yuǎn)超此前預(yù)期的3.3%和1.1%。其中，“2026年的供應(yīng)短缺將是過(guò)去15年以來(lái)最嚴(yán)重的一次?！?/p>

不過(guò)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲，對(duì)原始設(shè)備制造商（OEM）帶來(lái)很大壓力。

Counterpoint高級(jí)分析師Jeongku Choi 強(qiáng)調(diào)：“對(duì)設(shè)備廠商而言，這是雙重打擊——零部件成本上漲疊加消費(fèi)者購(gòu)買力減弱，隨著本季度推進(jìn)，需求很可能放緩。這就要求原始設(shè)備制造商（OEM）改變采購(gòu)模式，或聚焦高端機(jī)型，通過(guò)為消費(fèi)者提供更多價(jià)值來(lái)支撐更高的產(chǎn)品定價(jià)?！?/p>

Counterpoint指出，智能手機(jī)廠商正在削減設(shè)備DRAM容量，或采用性價(jià)比更高的QLC方案替代TLC固態(tài)硬盤。與此同時(shí)，目前供應(yīng)緊張的LPDDR4訂單明顯下滑，而支持最新DRAM標(biāo)準(zhǔn)的全新入門級(jí)芯片陸續(xù)推出，帶動(dòng)LPDDR5訂單持續(xù)增長(zhǎng)。

除了內(nèi)存減配外，由于市場(chǎng)需求疲軟，各大手機(jī)廠商今年都傳出下調(diào)全年手機(jī)出貨量。

Jeongku Choi進(jìn)一步指出：“存儲(chǔ)器行業(yè)盈利水平預(yù)計(jì)將達(dá)到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已達(dá)到60%區(qū)間，這是通用DRAM利潤(rùn)率首次超過(guò)HBM。2026年第一季度，DRAM利潤(rùn)率將首次突破歷史峰值。盡管如此，這一水平要么成為新的常態(tài)，要么形成極高的基準(zhǔn)——當(dāng)前看似穩(wěn)固，但一旦進(jìn)入下一輪下行周期（若發(fā)生），市場(chǎng)表現(xiàn)可能會(huì)更加慘淡。”