本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

Rapidus介紹了2nm工藝及GAA結(jié)構(gòu)的核心優(yōu)勢(shì)。

Rapidus參展2025年日本SEMICON展會(huì)，展出了由IIM北海道千歲市開(kāi)發(fā)制造基地研發(fā)制造的2nm GAA（全環(huán)繞柵極）晶體管及600毫米R(shí)DL（重分布層）中介面板原型。

2025年6月16日，Rapidus首次將硅片送入位于北海道千歲市的“IIM”開(kāi)發(fā)制造基地前沿試點(diǎn)產(chǎn)線；同月28日，首顆2nm GAA晶體管原型完成制備，并確認(rèn)實(shí)現(xiàn)正常運(yùn)行。此次是IIM實(shí)際制造的原型產(chǎn)品首次公開(kāi)亮相，展位全程座無(wú)虛席。

除實(shí)物原型展示外，展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)還同步介紹了2nm工藝及GAA結(jié)構(gòu)的核心優(yōu)勢(shì)。與2008年前后主流的40納米平面晶體管相比，2nm GAA晶體管可將功耗降低約二十分之一；相較于2018年前后的先進(jìn)工藝——7nm FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），其功耗也僅為前者的四分之一。

晶體管結(jié)構(gòu)。來(lái)源：Rapidus

晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的功耗差異。來(lái)源：Rapidus

RDL中介面板原型

相同面積下，300毫米晶圓（82毫米方形晶圓規(guī)格）可制備4個(gè)中介層，而600毫米方形面板則可制備49個(gè)，中介層數(shù)量提升10倍以上?；谶@一優(yōu)勢(shì)，Rapidus正全力推進(jìn)600毫米見(jiàn)方RDL中介面板的研發(fā)，此次展會(huì)上不僅展示了芯片組的實(shí)際原型，還呈現(xiàn)了其結(jié)構(gòu)模型。

RDL中介面板開(kāi)發(fā)演變。來(lái)源：Rapidus

在 RDL 中介面板的制造流程中，線路首先在玻璃載體上完成圖形化成型；若制程需要，可同步嵌入橋式芯片（適配精細(xì)化線路布局），繼而構(gòu)建上層線路層。后續(xù)依次完成上下層線路互聯(lián)的柱狀結(jié)構(gòu)制作、橋尖裝配、樹(shù)脂包覆密封、表面拋光處理、金屬布線層沉積及焊盤(pán)制備。完成上述工序后，將邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片搭載至 RDL 中介層，剝離玻璃載體，再與有機(jī)基板進(jìn)行互連封裝，最終經(jīng)塑封工藝，完成整個(gè)流程。

Rapidus計(jì)劃于2027年開(kāi)始前線工藝的量產(chǎn)，并在2027年下半年至2028年上半年開(kāi)始后期生產(chǎn)。

2025年，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了2nm制程的競(jìng)爭(zhēng)元年。臺(tái)積電、三星、英特爾、日本Rapidus等巨頭紛紛加速布局。隨著臺(tái)積電確認(rèn)2nm工藝將于2025年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)階段，三星宣布下半年啟動(dòng)2nm制程量產(chǎn)，以及英特爾將2nm節(jié)點(diǎn)品牌化為“Intel 18A”并計(jì)劃今年量產(chǎn)，一場(chǎng)關(guān)乎技術(shù)霸權(quán)的競(jìng)爭(zhēng)已全面展開(kāi)。

全球半導(dǎo)體廠商正全力投入2nm制程研發(fā)與量產(chǎn)，瞄準(zhǔn)高效能、低功耗芯片的龐大市場(chǎng)需求。多方競(jìng)逐的態(tài)勢(shì)已經(jīng)形成，各大廠商爭(zhēng)相達(dá)陣2nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電作為行業(yè)龍頭，已基本做好2nm工藝過(guò)渡到全面生產(chǎn)的準(zhǔn)備。初始生產(chǎn)線分布于位于中國(guó)臺(tái)灣新竹寶山和高雄的四座工廠，計(jì)劃2025年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)階段。供應(yīng)鏈人士透露，臺(tái)積電從2025年4月1日起開(kāi)始接受2nm訂單，初步敲定的2nm晶圓價(jià)格從3萬(wàn)美元起步。

三星在本月推出了Exynos 2600，這是全球首款2nm手機(jī)芯片。不過(guò)三星做出了一個(gè)頗為反常的舉動(dòng)—未在Exynos 2600中集成5G基帶，此舉可能是為了簡(jiǎn)化應(yīng)用處理器的制造流程。

據(jù)悉，Exynos 2600采用10核心設(shè)計(jì)，包括1顆3.8GHz C1-Ultra超大核、3顆3.25GHz C1-Pro大核以及6顆2.75GHz C1-Pro中核，集成Xclipse 960圖形處理器，支持LPDDR5X內(nèi)存。

三星官方宣稱(chēng)，相較于前代芯片Exynos 2500，Exynos 2600的CPU計(jì)算性能提升39%，NPU性能更是實(shí)現(xiàn)了113%的大幅躍升，GPU性能提升最高50%。在同等負(fù)載下，HPB散熱模塊可使芯片溫度降低約30%。

不過(guò)三星未在Exynos 2600芯片中集成5G基帶，這引發(fā)了外界對(duì)該芯片綜合能效的質(zhì)疑。為了能實(shí)現(xiàn)5G連接，三星決定外掛Shannon 5410基帶。雖然外掛基帶方案簡(jiǎn)化了Exynos 2600的整體制造流程，有助于提升芯片的良率，但是其能效表現(xiàn)如何還要看真機(jī)實(shí)測(cè)。按照計(jì)劃，Exynos 2600由三星Galaxy S26系列首發(fā)，新機(jī)將在明年2月份亮相。

Intel 18A制程是英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃的最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)，代表了英特爾在半導(dǎo)體制造技術(shù)上的最新成果。該制程采用了先進(jìn)的RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和PowerVia背面供電技術(shù)，預(yù)計(jì)將在晶體管密度、性能提升和功耗降低方面實(shí)現(xiàn)顯著突破。隨著人工智能、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高性能、低功耗芯片的需求日益增長(zhǎng)。Intel 18A制程芯片的量產(chǎn)將有助于英特爾滿(mǎn)足這些市場(chǎng)需求，提升其在半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。英特爾18A工藝預(yù)計(jì)將在2025年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

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