本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

TrendForce集邦咨詢下修2026年全球智能手機及筆記本電腦的生產(chǎn)出貨預(yù)測。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2026年全球市場仍面臨不確定性，通脹持續(xù)干擾消費市場表現(xiàn)，更關(guān)鍵的是，存儲器步入強勁上行周期，導(dǎo)致整機成本上揚，并將迫使終端定價上調(diào)，進而沖擊消費市場?；诖?，TrendForce集邦咨詢下修2026年全球智能手機及筆記本電腦的生產(chǎn)出貨預(yù)測，從原先的年增0.1%及1.7%，分別調(diào)降至年減2%及2.4%。此外，若存儲器供需失衡加劇，或終端售價上調(diào)幅度超出預(yù)期，生產(chǎn)出貨預(yù)測仍有進一步下修風(fēng)險。

DRAM漲勢強勁，低端智能手機首當(dāng)其沖

從個別產(chǎn)品來看，2025年智能手機存儲器價格上揚主要由DRAM帶動。2025年第四季 DRAM合約價格對比去年同期上揚逾75%，以存儲器占整機BOM cost約10~15%估算，2025年該成本已被墊高8~10%。

隨著DRAM及NAND Flash合約價格仍持續(xù)攀升，預(yù)估明年整機BOM cost將在今年的基礎(chǔ)上再提升約5~7%，甚至可能更高。對于原本就利潤偏薄的低端機種而言，品牌端勢必調(diào)降該產(chǎn)品占比，同時針對全系列產(chǎn)品分層上調(diào)終端售價以維系正常營運。

行業(yè)供應(yīng)鏈消息顯示，上游存儲芯片價格的“瘋漲”讓國內(nèi)主流手機廠商集體陷入采購決策的兩難境地。 小米 、 OPPO 、 vivo 等頭部品牌當(dāng)前庫存普遍低于兩個月，部分廠商的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器） 庫存更是緊張至三周以內(nèi)。 面對美光 、 三星 、 SK海力士三大原廠接近50%的漲幅報價，廠商們紛紛選擇暫緩本季度采購計劃，在成本與庫存之間尋求平衡。

這場漲價潮不僅影響了手機廠商，也波及了整個產(chǎn)業(yè)鏈，從上游的模組廠商到下游的終端市場，都感受到了壓力。

2026年筆記本電腦市場恐迎來成本與需求雙重壓力

2026年筆記本電腦市場同樣將面臨明顯壓力，以今年存儲器上漲前的成本結(jié)構(gòu)為基準(zhǔn)觀察，DRAM及NAND Flash合計占筆記本電腦整機BOM cost的比重約10~18%，在如此大幅且連續(xù)數(shù)季的上漲下，預(yù)估存儲器占整機BOM cost的比重將進一步擴大至20%以上。

若品牌選擇將成本轉(zhuǎn)嫁，預(yù)估2026年筆記本電腦終端售價將普遍上調(diào)5~15%，對需求形成實質(zhì)壓力。

面對嚴(yán)峻的形勢，PC廠商紛紛采取應(yīng)對措施。華碩聯(lián)席CEO胡書賓在2025年第三季度法人說明會上表示，公司已提前預(yù)判到內(nèi)存供應(yīng)趨緊的信號，并主動延長庫存周期。截至第三季度末，華碩關(guān)鍵零部件庫存可支撐約兩個月生產(chǎn)，渠道端成品庫存也接近兩個月，整體形成約四個月的安全庫存緩沖。盡管如此，胡書賓也坦言，若內(nèi)存供需失衡狀況未能緩解，公司將在合理范圍內(nèi)對產(chǎn)品價格進行調(diào)整。代工領(lǐng)域，佳世達(dá)集團董事長陳其宏也表達(dá)了對當(dāng)前局勢的擔(dān)憂，他指出，近期DDR4與DDR5內(nèi)存采購成本急劇上升，其中DDR4市場正遭遇嚴(yán)重缺貨，形勢尤為嚴(yán)峻。他形容當(dāng)前市場為“有貨就拿”，否則生產(chǎn)將難以為繼。此前積累的庫存已基本消耗完畢，缺貨狀態(tài)預(yù)計將持續(xù)至2026年底，短期內(nèi)難以緩解。

至于可視為PC外圍延伸的顯示器，其所搭載的存儲器多為小容量存儲器，受直接漲價沖擊影響有限。其隱憂來自間接影響，若PC零售價格大幅調(diào)漲導(dǎo)致整體出貨下修，將連帶沖擊顯示器出貨表現(xiàn)，因此顯示器年度出貨將從微增0.1%轉(zhuǎn)為年減0.4%。

此次內(nèi)存短缺對DDR4和DDR5市場的影響有所不同。DDR4市場受到的沖擊尤為嚴(yán)重，缺貨情況更為嚴(yán)峻。這主要是因為DDR4內(nèi)存主要應(yīng)用于老款電腦和入門級市場，其價格敏感度較高，漲價將直接影響消費者的購買意愿。而DDR5內(nèi)存雖然性能更強，但價格也相對較高，且市場滲透率仍處于較低水平。然而，隨著Intel和AMD新一代平臺對DDR5內(nèi)存的普及，DDR5內(nèi)存的需求也將持續(xù)增長，屆時其價格也將面臨上漲壓力。

市場分析指出，這波漲價潮主要源于DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）供應(yīng)的緊張。一方面，AI（人工智能）領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展對內(nèi)存的需求激增，導(dǎo)致了服務(wù)器級內(nèi)存和HBM（高帶寬內(nèi)存）的產(chǎn)能被大量占用。另一方面，DDR4和DDR5內(nèi)存的生產(chǎn)也受到原材料、制程等方面的影響，導(dǎo)致供應(yīng)量難以滿足市場需求。

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