本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

隨著AI相關(guān)半導(dǎo)體需求的增長(zhǎng)，高附加值半導(dǎo)體材料產(chǎn)品的銷(xiāo)售也強(qiáng)勁。

2025年10月，富士經(jīng)濟(jì)對(duì)全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查，并發(fā)布了截至2030年的預(yù)測(cè)結(jié)果。結(jié)果顯示，預(yù)計(jì)2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約700億美元，而2025年僅為500多億美元。其中，前端材料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到560億美元，后端材料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到141億美元。人工智能相關(guān)的尖端半導(dǎo)體需求將保持強(qiáng)勁。

本次調(diào)查涵蓋了硅片、光掩模、光刻膠和CMP漿料等26種前端材料，以及背磨膠帶、鍵合線(xiàn)和封裝基板用覆銅板材料等8種后端材料。調(diào)查還考察了四大主要半導(dǎo)體器件市場(chǎng)：SoC（移動(dòng)）、AI加速器、NAND閃存和DRAM。調(diào)查時(shí)間為2025年5月至8月。

隨著AI相關(guān)半導(dǎo)體需求的增長(zhǎng)，高附加值半導(dǎo)體材料產(chǎn)品的銷(xiāo)售也強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)將轉(zhuǎn)為正增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心的投資和對(duì)尖端半導(dǎo)體（特別是與AI相關(guān)的半導(dǎo)體）的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，材料市場(chǎng)也將穩(wěn)步擴(kuò)大。

從各工序來(lái)看，隨著背面布線(xiàn)技術(shù)和利用TSV（硅通孔）的晶圓堆疊技術(shù)的進(jìn)步，預(yù)計(jì)前端工序使用的晶圓數(shù)量將會(huì)增加，從而帶動(dòng)所有材料的增長(zhǎng)。特別是光刻膠、光掩模和硅烷氣體預(yù)計(jì)將出現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

鍵合線(xiàn)在后處理材料中占比很大。因此，預(yù)計(jì)2024年需求將大幅增長(zhǎng)，部分原因是由于錠價(jià)上漲。此外，F(xiàn)C-BGA封裝基板用覆銅板材料以及層間絕緣材料的需求也有望擴(kuò)大。

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)（前段工序和后段工序）來(lái)源：富士經(jīng)濟(jì)

本報(bào)告重點(diǎn)介紹了三種值得關(guān)注的產(chǎn)品市場(chǎng)：光刻膠、CMP漿料和用于封裝基板的覆銅層壓材料。

光刻膠是一種特殊的光敏材料，具有光化學(xué)反應(yīng)的特性。它在微電子制造中起到了至關(guān)重要的作用。光刻膠的主要作用是在光刻過(guò)程中形成光刻圖案，用于制造微電子器件的結(jié)構(gòu)。通過(guò)光刻膠的選擇和處理，可以實(shí)現(xiàn)高精度、高分辨率的微細(xì)加工。光刻膠根據(jù)其化學(xué)成分和特性可以分為正膠和負(fù)膠。正膠在光照后會(huì)發(fā)生聚合反應(yīng)，形成固化的區(qū)域，而負(fù)膠則是在光照后會(huì)發(fā)生解聚反應(yīng)，形成固化的區(qū)域。

光刻膠的特性包括分辨率、曝光劑的選擇、顯影過(guò)程等。分辨率是指光刻膠能夠?qū)崿F(xiàn)的小特征尺寸，決定了微電子器件的制造精度。曝光劑的選擇要考慮到其光敏性和化學(xué)穩(wěn)定性，以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的光刻圖案。顯影過(guò)程是將光刻膠中未固化的部分，形成所需的圖案。

光刻膠在微電子制造中有廣泛的應(yīng)用。首先，光刻膠用于制造集成電路中的電路圖案，實(shí)現(xiàn)電路的連接和功能。其次，光刻膠在制造光學(xué)器件中起到了關(guān)鍵作用，如光纖通信中的光波導(dǎo)器件。此外，光刻膠還用于制造傳感器、顯示器件等微電子器件。

光刻膠的應(yīng)用要考慮到制造工藝的要求和設(shè)備的兼容性。不同的光刻膠適用于不同的制造工藝和設(shè)備，需要根據(jù)具體需求進(jìn)行選擇。

預(yù)計(jì)2030年光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到36億美元，而2025年預(yù)計(jì)為25億美元。2025年，對(duì)尖端AI相關(guān)邏輯和堆疊DRAM寬帶存儲(chǔ)器 (HBM) 的需求依然強(qiáng)勁。展望未來(lái)，通用半導(dǎo)體的g/i-line和KrF應(yīng)用以及尖端半導(dǎo)體的極紫外 (EUV) 光刻應(yīng)用預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。

CMP漿料（化學(xué)機(jī)械拋光漿料）是一種用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的拋光液，主要用于集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化。CMP漿料通常由分散在酸性或堿性溶液中的納米級(jí)磨料組成，能夠在化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨的作用下去除材料，從而使表面達(dá)到微米或納米級(jí)的平坦度。根據(jù)磨料的不同，CMP漿料可分為二氧化硅漿料、氧化鈰漿料、氧化鋁漿料等幾大類(lèi)。

預(yù)計(jì)2030年CMP漿料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到27億美元，而2025年預(yù)計(jì)為20億美元。由于存儲(chǔ)器和邏輯芯片的生產(chǎn)開(kāi)工率低于2025年的峰值，因此與上一年相比，增長(zhǎng)率僅為5%左右。從中長(zhǎng)期來(lái)看，尖端邏輯芯片布線(xiàn)層數(shù)的增加、晶體管結(jié)構(gòu)的變化以及3D NAND閃存層數(shù)的增加等因素預(yù)計(jì)將推動(dòng)市場(chǎng)擴(kuò)張。

“封裝基板用覆銅板材料”市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2025年達(dá)到15億美元，2030年達(dá)到20億美元。2025年，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備使用的半導(dǎo)體封裝基板材料市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大，預(yù)計(jì)未來(lái)這一趨勢(shì)將持續(xù)，導(dǎo)致高價(jià)位產(chǎn)品的需求增加。

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